삼성전자의 반도체 핵심 기술을 중국에 유출한 혐의로 기소된 전 삼성전자 부장이 1심에서 징역 7년을 선고받았다. 산업기술 유출 혐의로는 역대 최고 수준의 형벌이지만 일부 기술이 ‘산업기술’로 인정받지 못해 검찰 구형량에는 크게 미치지 못했다는 분석이 나온다.

서울중앙지법 형사25부(부장판사 지귀연)는 19일 산업기술유출 방지법 위반 등 혐의로 재판에 넘겨진 전 삼성전자 메모리사업부 부장 A씨에게 징역 7년과 벌금 2억원을 선고했다. A씨를 도와 반도체 원자층증착(ALD) 기술을 빼돌린 혐의로 기소된 B씨에게는 징역 2년6개월형이 내려졌다. A·B씨를 비롯해 이들에게 협조한 부하 직원 C씨는 이날 선고로 법정구속됐다. 나머지 두 명의 공범에게는 징역형 집행유예가 선고됐다. ALD 장비는 소자 성능을 높이기 위해 반도체에 원자 단위의 얇은 박막을 균일하게 증착하는 핵심 장비다.

재판부는 2022년께 A씨 주도로 중국에 반도체 장비 회사를 설립하는 과정에서 피고인들이 한국 업체 영업비밀을 유출한 혐의의 대부분을 유죄로 판단했다. A씨가 2016년 중국의 신생 반도체 업체 창신메모리테크놀로지(CXMT)로 이직하면서 삼성전자의 18나노 D램 반도체 공정 정보를 무단으로 반출한 혐의 또한 유죄로 봤다.

재판부는 “반도체 기술 유출은 대한민국 국가 산업 경쟁력에 큰 악영향을 미치는 중대한 범죄”라며 “중국 경쟁 업체가 18나노 D램 반도체를 개발·양산하는 데 성공한 점을 감안하면 삼성전자의 피해는 어마어마한 액수에 이를 것으로 쉽게 예상할 수 있다”고 양형 이유를 밝혔다.

재판부는 다만 유출된 기술 중 증착을 위해 온도를 조절하는 히터 기술만 산업기술보호법상 ‘산업기술’로 인정했다. 재판부는 증착 박막의 두께와 특성을 조절하는 핵심 기술인 ‘프로세스 유닛’ 관련 정보는 유출되지 않았다고 판단해 검찰이 A씨에게 구형한 징역 20년보다 낮은 형량을 선고했다.

A씨 일당은 중국 반도체 기업에서 투자받아 현지에 반도체 회사를 설립하는 과정에서 삼성전자의 반도체 공정 기술을 유출한 혐의로 재판에 넘겨졌다. 유출된 기술에는 반도체 제조 공정의 핵심 기술인 ALD 기술이 포함돼 중국에서 동일하거나 비슷한 품질의 장비가 대량 생산될 우려가 제기됐다.

황동진 기자 [email protected]